IRFD320PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 0.6а 1.3вт, 1.8 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFD320PBF
MOSFET N, HEXDIP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 0.49A Resistance, Rds On 1.8ohm Case Style HEXDIP Current, Idm Pulse 3.9A Power, Pd 1W Voltage, Vds Max 400V
Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 ом при 0.21a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
Крутизна характеристики, S | 2 |
Корпус | HVMDIP |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Вес, г | 0.6 |
Особенности
Вес брутто
0.56 г
Входная емкость
410пФ
Заряд затвора
20нКл
Код товара
65358
Корпус
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Краткое описание
MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP Транзистор полевой N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом
Мощность Макс
1Вт
Напряжение исток-сток макс
400В
Нормоупаковка
100 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
1.8 Ом
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
490мА
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e2/77/21/33/e4860adc3739426d45ea3fbd.pdf