IRFD220PBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.8а 1.3вт, 0.8 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFD220PBF
The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 ом при 0.48a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 1.1 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Особенности
Вес брутто
0.6 г
Входная емкость
260пФ
Заряд затвора
14нКл
Код товара
65608
Корпус
HVMDIP-4
Краткое описание
MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP Транзистор полевой N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Мощность Макс
1Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
100 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
800 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
800мА
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/8b/68/e1/5b/5fa6d2e0f43334fdaff10d31.pdf