IRFD120PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.3а 1.3вт, 0.25 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFD120PBF
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 ом при 0.78a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Особенности
Вес брутто
0.57 г
Входная емкость
360пФ
Заряд затвора
16нКл
Код товара
37547
Корпус
HVMDIP-4
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP Транзистор полевой N-канальный 100В 1.3А 1.3Вт, 0.25 Ом
Мощность Макс
1.3Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
100 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
270 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
1.3A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/1d/32/8e/bf/a74be55e41a25f1ff6c382a6.pdf