IRFB9N65APBF, транзистор полевой n-канальный 650в 8.5а 167вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFB9N65APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.93 ом при 5.1a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Крутизна характеристики, S | 3.9 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.67 г
Входная емкость
1417пФ
Заряд затвора
48нКл
Код товара
204003
Корпус
TO-220AB
Краткое описание
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB, 167W Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Мощность Макс
167Вт
Напряжение исток-сток макс
650В
Нормоупаковка
50 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
930 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
8.5A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/c0/d6/19/21/730f99b44729efcb71dfcbe5.pdf