IRFB9N60APBF, транзистор полевой n-канальный 600в 9.2а 170вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFB9N60APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75 ом при 5.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Крутизна характеристики, S | 5.5 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.9 г
Входная емкость
1400пФ
Заряд затвора
49нКл
Код товара
204002
Корпус
TO-220AB
Краткое описание
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB Транзистор полевой N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Мощность Макс
170Вт
Напряжение исток-сток макс
600В
Нормоупаковка
50 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
750 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
9.2A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/f8/26/26/c8/ea468a619908fe953d9ae1ef.pdf