IRF9530NSPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 14а 79вт, 0.2 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF9530NSPBF
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 ом при-8.4a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Крутизна характеристики, S | 3.2 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2 г
Входная емкость
760пФ
Заряд затвора
58нКл
Код товара
54172
Корпус
D2PAK/TO263
Краткое описание
MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Маркировка
Obsolete
Мощность Макс
3.8Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
50 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
200 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
14A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/21/e6/75/a7/68203737159922222991488d.pdf