IRF9510PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 4а 20вт
Описание
Описание IRF9510PBF
The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• -55 to 175°C Operating temperature range
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
Структура | p-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -4 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 ом при-2.4a, -10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
Крутизна характеристики, S | 1 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | -4 |
Вес, г | 2.5 |