IRF8788TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 24а 2.5вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF8788TRPBF
N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 24 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 95S |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5 |
| Типичное время задержки включения | 23 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 3,8 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 44 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 5720 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1V |
| Вес, г | 0.15 |
Особенности
Вес брутто
0.22 г
Входная емкость
5720пФ
Заряд затвора
66нКл
Код товара
320194
Корпус
SO-8
Краткое описание
MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R Транзистор полевой N-канальный 30В 24А 2.5Вт
Мощность Макс
2.5Вт
Напряжение исток-сток макс
30В
Нормоупаковка
4000 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
2.35В
Сопротивление открытого канала
2.8 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
24A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/96/0e/8b/68/03d744a54490cc1b684df343.pdf