IRF7832TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 20a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF7832TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм
| Максимальная рабочая температура | +155 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 20 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.32V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.39V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 4,8 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 34 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 4310 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Особенности
Вес брутто
0.14 г
Входная емкость
4310пФ
Заряд затвора
51нКл
Код товара
203850
Корпус
SO-8
Краткое описание
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC Транзистор полевой N-канальный 30В 20A
Мощность Макс
2.5Вт
Напряжение исток-сток макс
30В
Нормоупаковка
4000 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
950 шт
Пороговое напряжение включения макс
2.32В
Сопротивление открытого канала
4 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
20A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/21/0e/20/c9/afef48190ac153fc143502e7.pdf