IRF7493TRPBF, транзистор полевой n-канальный 80в 9.3a

КОД: IRF7493TRPBF

92.27 ₽

В наличии

Купить в один клик

Задать вопрос

Описание

Описание IRF7493TRPBF

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	9,3 A
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость	13S
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	8,3 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	30 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	15 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	80 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	35 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1510 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода	1.3V
Вес, г	0.15

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные