IRF7404TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 6.7a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF7404TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 6,7 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 60 МОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1500 pF @ -15 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.15 |
Особенности
Вес брутто
0.26 г
Входная емкость
1500пФ
Заряд затвора
50нКл
Код товара
203796
Корпус
SO-8
Краткое описание
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC Транзистор полевой P-канальный 20В 6.7A
Мощность Макс
2.5Вт
Напряжение исток-сток макс
20В
Нормоупаковка
4000 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
994 шт
Пороговое напряжение включения макс
700mВ
Сопротивление открытого канала
40 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
6.7A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/8a/29/ce/8c/249a5b2ee507d6817a4a5f12.pdf