IRF7204TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.3a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF7204TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 860 pF @ -10 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.15 |
Особенности
Вес брутто
0.22 г
Входная емкость
860пФ
Заряд затвора
25нКл
Код товара
203757
Корпус
SO-8
Краткое описание
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Транзистор полевой P-канальный 20В 5.3A
Мощность Макс
2.5Вт
Напряжение исток-сток макс
20В
Нормоупаковка
4000 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
2.5В
Сопротивление открытого канала
60 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
5.3A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e8/a5/48/1e/df898c6d2fd06391494ec74b.pdf