IRF630NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF630NSTRLPBF
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.67mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Infineon |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.3 A |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Maximum Power Dissipation | 82 W |
| Series | HEXFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 11.3mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Height | 4.83mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.31 г
Входная емкость
575пФ
Заряд затвора
35нКл
Код товара
150372
Корпус
D2Pak (TO-263)
Краткое описание
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Маркировка
NRND
Мощность Макс
82Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
2500 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
300 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
9.3A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/3e/25/f4/1e/bddd2e00c10d09d587fadb73.pdf