IRF630, транзистор полевой n-канальный 200в 9а 74вт, 0.4 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF630
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 ом при 4.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Крутизна характеристики, S | 3.8 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.72 г
Входная емкость
700пФ
Заряд затвора
45нКл
Код товара
86625
Корпус
TO-220 Isolated Tab
Краткое описание
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohm 31 nC 75 W Транзистор полевой N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Мощность Макс
75Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
50 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
10 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
400 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
9A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/88/82/28/55/612bfb4aa9bddbdfc6625553.pdf