IRF6216TRPBF, транзистор полевой p-канальный 150в 2.2a

КОД: IRF6216TRPBF

49.16 ₽

В наличии

Купить в один клик

Задать вопрос

Описание

Описание IRF6216TRPBF

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	2,2 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	18 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	33 ns
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	5
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	240 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	150 В
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	33 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1280 пФ при -25 В
Тип канала	A, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.15

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные