IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF5210STRLPBF
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 ом при-38a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
1.3 г
Входная емкость
2780пФ
Заряд затвора
230нКл
Код товара
203690
Корпус
D2Pak (TO-263)
Краткое описание
MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
Мощность Макс
3.1Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
800 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
60 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
38A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/96/62/b2/99/1008e928387fe7a466f70723.pdf