IRF4104SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF4104SPBF
The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 ом при 75a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.39 г
Входная емкость
3000пФ
Заряд затвора
100нКл
Код товара
203681
Корпус
D2Pak (TO-263)
Краткое описание
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Транзистор полевой N-канальный 40В 75A
Мощность Макс
140Вт
Напряжение исток-сток макс
40В
Нормоупаковка
50 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
5.5 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
75A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/fc/87/56/43/deb7b9ad2c783c49af64ca92.pdf