IRF3808PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 140а 340вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF3808PBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 ом при 82a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 340 |
| Крутизна характеристики, S | 100 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.8 г
Входная емкость
5310пФ
Заряд затвора
220нКл
Код товара
113247
Корпус
TO-220AB
Краткое описание
MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB, 340W Транзистор полевой N-канальный 75В 140А 340Вт
Мощность Макс
330Вт
Напряжение исток-сток макс
75В
Нормоупаковка
50 шт
Остаток под заказ
810 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
7 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
140A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/f7/43/fa/bf/bd9e3ab9d778f712c12243f7.pdf