IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]
![IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]](https://antavatrade.ru/images/thumbnails/1000/1309/detailed/79/de4592237b0ab5b4254ff46e.jpg "IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]")
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF2805STRLPBF
МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 135 A |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 W |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 9.65мм |
| Высота | 4.83мм |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 68 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 4,7 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 150 нКл |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 5110 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
1.7 г
Входная емкость
5110пФ @ 25В
Заряд затвора
230нКл @ 10В
Код товара
432927
Корпус
D2PAK/TO263
Краткое описание
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Мощность Макс
200Вт
Напряжение исток-сток макс
55В
Нормоупаковка
800 шт
Особенности
Standard
Пороговое напряжение включения макс
4В @ 250 µA
Сопротивление открытого канала
4.7 мОм @ 104А, 10В
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
135A(Tc)