FQT4N20LTF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.85а 1.35 ом

FQT4N20LTF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.85а 1.35 ом, изображение 2

КОД: FQT4N20LTF

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQT4N20LTF

The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
• 100% Avalanche tested
• 4nC Typical low gate charge
• 6pF Typical low Crss

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	850 мА
Тип корпуса	SOT-223
Максимальное рассеяние мощности	2,2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3.56мм
Высота	1.6мм
Размеры	6.5 x 3.56 x 1.6мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	6.5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	7 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	15 нс
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	1,35 Ом
Максимальное напряжение сток-исток	200 V
Число контактов	3+Tab
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	4 nC @ 5 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	240 пФ при -25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.39

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные