FQPF8N80C, транзистор полевой n-канальный 800в 8а 59вт

КОД: FQPF8N80C

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQPF8N80C

The FQPF8N80C is a 800V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	8 A
Тип корпуса	TO-220F
Максимальное рассеяние мощности	59 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7
Высота	9.19мм
Размеры	10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.16мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	40 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	65 нс
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	1.55 Ω
Максимальное напряжение сток-исток	800 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	35 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1580 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные