FQP6N80C, транзистор полевой n-канальный 800в 5.5а 2.5 ом, 158вт

КОД: FQP6N80C

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQP6N80C

The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (21nC)
• Low Crss (8pF)
• 100% Avalanche tested

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	5.5 A
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	158 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7
Высота	9.4мм
Размеры	10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.1мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	26 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	47 ns
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	2.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток	800 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	21 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1010 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2.5

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные