FQP55N10, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 55 а
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FQP55N10
QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
| Структура | n-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 ом при 27.5a, 10в |
Особенности
Вес брутто
3.5 г
Входная емкость
2730пФ
Заряд затвора
98нКл
Код товара
198617
Корпус
TO-220
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А
Мощность Макс
155Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
1000 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
26 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
55A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/10/65/7e/5d/7c128a33c1d76b6b01b4766e.pdf