FQP33N10, транзистор полевой n-канальный 100в 33a

КОД: FQP33N10

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQP33N10

FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Lower conduction loss
• 175°C Maximum junction temperature rating

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	33 А
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	127 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.83мм
Высота	9.4мм
Размеры	10.67 x 4.83 x 9.4мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	15 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	80 нс
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	52 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	38 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1150 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-25 В, +25 В
Вес, г	2.5

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные