FQP30N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 32a 3-pin(3+tab) to-220ab лента
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FQP30N06L
The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low crss (typical 50pF)
• ±20V Gate-source voltage
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 ом при 16a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 24 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.72 г
Входная емкость
1040пФ
Заряд затвора
20нКл
Код товара
346940
Корпус
TO-220
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail Транзистор полевой N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Мощность Макс
79Вт
Напряжение исток-сток макс
60В
Нормоупаковка
50 шт
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс
2.5В
Сопротивление открытого канала
35 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
32A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/85/76/e6/cf/39044838ac5784f49bdbc474.pdf