FQP19N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 19а 139вт

КОД: FQP19N20C

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FQP19N20C

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	19 А
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	139 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7мм
Высота	9.4мм
Размеры	10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.1мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	15 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	135 ns
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	170 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	200 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	40,5 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	830 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2.5

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные