FQP12P20, транзистор полевой p-канальный 200в 11.5a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FQP12P20
• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical gate charge
• 30pF Typical low Crss
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11.5 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 120 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.1 x 4.7 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.1мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 40 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 470 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 920 pF @ 25 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.82 г
Входная емкость
1200пФ
Заряд затвора
40нКл
Код товара
198590
Корпус
TO-220
Краткое описание
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A
Мощность Макс
120Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
1000 шт
Пороговое напряжение включения макс
5В
Сопротивление открытого канала
470 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
11.5A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/7a/d4/e1/91/b9f3f0b0de9cb6a9eb7c0dc0.pdf