FQD19N10LTM, транзистор полевой n-канальный 100в 15.6a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FQD19N10LTM
The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 ом при 7.8a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Крутизна характеристики, S | 14 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Особенности
Вес брутто
0.47 г
Входная емкость
870пФ
Заряд затвора
18нКл
Код товара
198549
Корпус
TO-252-3
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A
Мощность Макс
2.5Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
2500 шт
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс
2В
Сопротивление открытого канала
100 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
15.6A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e1/a9/3c/cd/32c271f8418785b7ef5d5b8f.pdf