FQA11N90C_F109, транзистор полевой n-канальный 900в 11a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FQA11N90C_F109
N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
| Base Product Number | FQA1 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | QFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 6.5 |
Особенности
Вес брутто
5.4 г
Входная емкость
3290пФ
Заряд затвора
80нКл
Код товара
198480
Корпус
TO-3P
Краткое описание
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P Транзистор полевой N-канальный 900В 11A
Мощность Макс
300Вт
Напряжение исток-сток макс
900В
Нормоупаковка
30 шт
Пороговое напряжение включения макс
5В
Сопротивление открытого канала
1.1 Ом
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
11A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/b5/9a/14/71/d2f2b92cf69d5ed2c6944dbd.pdf