FDP22N50N, транзистор полевой n-канальный 500в 22a

КОД: FDP22N50N

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FDP22N50N

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	22 A
Тип корпуса	TO-220
Максимальное рассеяние мощности	312,5 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.5мм
Высота	9.2мм
Размеры	9.9 x 4.5 x 9.2мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	9.9мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	22 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	48 нс
Серия	UniFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	220 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	500 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	49 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	2456 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2.5

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные