FDN358P, транзистор полевой p-канальный 30в 1.5а 0.5вт, 0.06 ом

FDN358P, транзистор полевой p-канальный 30в 1.5а 0.5вт, 0.06 ом, изображение 2

КОД: FDN358P

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FDN358P

The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	1,5 А
Тип корпуса	SOT-23
Максимальное рассеяние мощности	500 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	1.4мм
Высота	0.94мм
Размеры	2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	2.92мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	5 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	12 нс
Серия	PowerTrench
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	125 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	4 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	182 пФ при 15 В
Тип канала	P
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.05

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные