FDN302P, транзистор полевой p-канальный 20в 2.4а 0.08 ом, 0.5вт

FDN302P
Цена: по запросу
Нет в наличии

Описание

Описание FDN302P

The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High performance trench technology for extremely low RDS (on)

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока2.4 A
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности500 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина1.4мм
Высота0.94мм
Размеры2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС1
Длина2.92мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения13 ns
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения25 нс
СерияPowerTrench
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток55 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток20 V
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs9 nC @ 4.5 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds882 пФ при 10 В
Тип каналаP
Максимальное напряжение затвор-исток-12 В, +12 В
Вес, г0.05

Особенности

Вес брутто
0.03 г
Входная емкость
882пФ
Заряд затвора
14нКл
Код товара
129238
Корпус
SOT-23 (SuperSOT-3)
Краткое описание
MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SuperSOT T/R Транзистор полевой P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт
Мощность Макс
460мВт
Напряжение исток-сток макс
20В
Нормоупаковка
3000 шт
Особенности
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс
1.5В
Сопротивление открытого канала
55 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
P-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
2.4A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/98/e1/85/98/50f2686c9dca6982ba15dc32.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные