FDA38N30, транзистор полевой n-канальный 300в
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FDA38N30
The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 60nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
• ESD Improved capability
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 16.2мм |
| Brand | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-3P |
| Maximum Power Dissipation | 312 W |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 5мм |
| Высота | 18.9мм |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 16.2 x 5 x 18.9mm |
| Вес, г | 6.5 |
Особенности
Вес брутто
7.4 г
Входная емкость
2600пФ
Заряд затвора
60нКл
Код товара
197156
Корпус
TO-3P(N)
Краткое описание
MOSFET N-CH 300V TO-3 Транзистор полевой N-канальный 300В
Мощность Макс
312Вт
Напряжение исток-сток макс
300В
Нормоупаковка
30 шт
Пороговое напряжение включения макс
5В
Сопротивление открытого канала
85 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
38A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/8f/f1/76/ff/dece1f6c08843d4b86c69d4a.pdf