FDA24N50, транзистор полевой n-канальный 500в 24a
Описание
Описание FDA24N50
The FDA24N50 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 65nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 24 A |
Тип корпуса | TO-3PN |
Максимальное рассеяние мощности | 270 W |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 5мм |
Высота | 20.1мм |
Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 15.8мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 47 ns |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 164 нс |
Серия | UniFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 190 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
Число контактов | 2 |
Категория | Высокое напряжение |
Типичный заряд затвора при Vgs | 65 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 3120 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
Вес, г | 6.5 |