FCPF7N60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 7 а
Описание
Описание FCPF7N60
The FCPF7N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
• Ultra low gate charge (Qg = 23nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 60pF)
• 100% avalanche tested
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 ом при 3.5a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
Крутизна характеристики, S | 6 |
Корпус | to220fp |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
Вес, г | 2 |