BSS138LT1G, транзистор полевой n-канальный 50в 0.2а 0.36вт, 3.5 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание BSS138LT1G
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 ом при 0.22a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Крутизна характеристики, S | 0.1 |
| Корпус | sot23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.03 г
Входная емкость
50пФ
Код товара
82714
Корпус
SOT-23
Краткое описание
MOSFET N-канал 50В/0.2А/0.36Вт/3.5 Ом Транзистор полевой N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
Мощность Макс
225мВт
Напряжение исток-сток макс
50В
Нормоупаковка
3000 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
1.5В
Сопротивление открытого канала
3.5 Ом
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
200мА
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/a0/6e/f8/1d/bf490ec17aa906dd887833be.pdf