AUIRL3705ZS, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 75 а
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание AUIRL3705ZS
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 ом при 52a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Корпус | d2pak |
| Особенности | Автомобильные Приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
1.2 г
Входная емкость
2880пФ
Заряд затвора
60нКл
Код товара
182325
Корпус
D2PAK/TO263
Краткое описание
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Мощность Макс
130Вт
Напряжение исток-сток макс
55В
Нормоупаковка
50 шт
Особенности
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс
3В
Сопротивление открытого канала
8 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
75A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/eb/72/d3/3e/f23a30d58f3b4e231a1cd1c1.pdf