2N7002LT1G, транзистор полевой n-канальный 60в 115ма, 0.3вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание 2N7002LT1G
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.115 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 ом при 0.5а, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 80 |
| Корпус | sot23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.75 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.03 г
Входная емкость
50пФ
Код товара
146810
Корпус
SOT23-3
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23, 0.3W Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт
Мощность Макс
225мВт
Напряжение исток-сток макс
60В
Нормоупаковка
3000 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
2.5В
Сопротивление открытого канала
7.5 Ом
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
115мА
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/ae/30/30/24/07ed3b4d9152868fca17d49f.pdf