Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
64
MRF300BN, транзистор полевой mosfet n-канальный радиочастотный 133в 3-pin(3+tab) to-247 туба
MRF300BN, транзистор полевой mosfet n-канальный радиочастотный 133в 3-pin(3+tab) to-247 туба
Цена: по запросу
MRF6V12250HR5, транзистор радиочастотный (rf fet)
MRF6V12250HR5, транзистор радиочастотный (rf fet)
Цена: по запросу
MRF6V2010NR1, транзистор радиочастотный (rf fet)
Цена: по запросу
MRFE6S9060NR1, полевой транзистор rf n-канальный 14вт to270-2
Цена: по запросу
MSB92ASWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а
MSB92ASWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а
Цена: по запросу
MSB92AWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а
MSB92AWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а
Цена: по запросу
MSB92WT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а
MSB92WT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а
Цена: по запросу
MSD42WT1G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.15 а
MSD42WT1G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.15 а
Цена: по запросу
MSLSBC856BLT1G, транзистор одиночный биполярный
Цена: по запросу
MUN5112DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком
MUN5112DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком
Цена: по запросу
MUN5114DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком
MUN5114DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком
Цена: по запросу
MUN5133T1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 4.7 ком+47 ком
MUN5133T1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 4.7 ком+47 ком
Цена: по запросу
MUN5211DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+10 ком
MUN5211DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+10 ком
Цена: по запросу
Описание MUN5211DW1T1G Dual Resistor Dual Digital Transistors, ON Semiconductor Структура 2 X npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50...
MUN5211T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+10 ком
MUN5211T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+10 ком
Цена: по запросу
MUN5212DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком
MUN5212DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком
Цена: по запросу
MUN5212T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 22 ком+22 ком
MUN5212T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 22 ком+22 ком
Цена: по запросу
MUN5214T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+47 ком
MUN5214T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 10 ком+47 ком
Цена: по запросу
MUN5216DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+
MUN5216DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+
Цена: по запросу
MUN5230T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 1 ком+1 ком
MUN5230T1G, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 1 ком+1 ком
Цена: по запросу
MUN5233DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+47 ком
MUN5233DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 4.7 ком+47 ком
Цена: по запросу
MUN5234DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+47 ком
MUN5234DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+47 ком
Цена: по запросу
MUN5314DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком
MUN5314DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком
Цена: по запросу
MUN5332DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,4.7 ком+4.7 ком
MUN5332DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,4.7 ком+4.7 ком
Цена: по запросу
MUN5335DW1T2G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,2.2 ком+47 ком
MUN5335DW1T2G, цифровые биполярные транзисторы npn+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт,2.2 ком+47 ком
Цена: по запросу
NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в
NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в
Цена: по запросу
NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма
NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма
Цена: по запросу
NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма
NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма
Цена: по запросу
NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а
NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а
Цена: по запросу
Описание NDS9948 Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500...
NE3210S01-T1B, транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием aigaas и нелегированным ingaas диапазон 12ггц
NE3210S01-T1B, транзистор псевдоморфный полевой с гетеропереходом между легированным кремнием aigaas и нелегированным ingaas диапазон 12ггц
Цена: по запросу
NF3M45170K, sic mosfet 1700в, 72а, корпус to-247-4
NF3M45170K, sic mosfet 1700в, 72а, корпус to-247-4
Цена: по запросу
NGB8202ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 150 вт
NGB8202ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 150 вт
Цена: по запросу
NGB8202ANTF4G, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGB8245NT4G, биполярный транзистор igbt, 490 в, 20 а, 150 вт
NGB8245NT4G, биполярный транзистор igbt, 490 в, 20 а, 150 вт
Цена: по запросу
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
NGD8201ANT4G, биполярный транзистор igbt, 440 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
NGD8205ANT4G, биполярный транзистор igbt, 390 в, 20 а, 125 вт
NGD8205ANT4G, биполярный транзистор igbt, 390 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
NGTB03N60R2DT4G, транзистор igbt одиночный
NGTB03N60R2DT4G, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGTB15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
NGTB15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
Цена: по запросу
NGTB30N120IHSWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
NGTB30N120IHSWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а
Цена: по запросу
NGTB35N65FL2WG, биполярный транзистор igbt, 650 в, 70 а, 300 вт
NGTB35N65FL2WG, биполярный транзистор igbt, 650 в, 70 а, 300 вт
Цена: по запросу
NGTB40N120FL2WG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 535 вт
NGTB40N120FL2WG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 535 вт
Цена: по запросу
NGTB40N120FL3WG, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGTB40N120IHRWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 384 вт
NGTB40N120IHRWG, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 384 вт
Цена: по запросу
NGTB50N60FL2WG, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
NGTG15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
NGTG15N60S1EG, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30 а, 117 вт
Цена: по запросу
NJD2873T4G, биполярный транзистор, npn, 50 в, 2 а
NJD2873T4G, биполярный транзистор, npn, 50 в, 2 а
Цена: по запросу
NJD35N04G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 350 в, 4 а, 45 вт
NJD35N04G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 350 в, 4 а, 45 вт
Цена: по запросу
NJL1302DG, биполярный транзистор, pnp, 260 в, 15 а
NJL1302DG, биполярный транзистор, pnp, 260 в, 15 а
Цена: по запросу
NJL3281DG, биполярный транзистор, npn, 260 в, 15 а
NJL3281DG, биполярный транзистор, npn, 260 в, 15 а
Цена: по запросу
NJT4030PT1G, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 3 а
NJT4030PT1G, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 3 а
Цена: по запросу
NJT4030PT3G, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 3 а
NJT4030PT3G, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 3 а
Цена: по запросу
NJT4031NT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 3 а
NJT4031NT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 3 а
Цена: по запросу
NJT4031NT3G, биполярный транзистор npn 40в 3a sot-223
NJT4031NT3G, биполярный транзистор npn 40в 3a sot-223
Цена: по запросу
NJVMJB44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 10 а
NJVMJB44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 10 а
Цена: по запросу
NJVMJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
NJVMJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а
Цена: по запросу
NJVMJD117T4G, trans pnp darl 100v 2a dpak-4
NJVMJD117T4G, trans pnp darl 100v 2a dpak-4
Цена: по запросу
NJVMJD122T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а
NJVMJD122T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а
Цена: по запросу
NJVMJD31CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а
NJVMJD31CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а
Цена: по запросу
NJVMJD31CT4G-VF01, транзистор общего применения биполярный npn 100в 5a 1560мвт 3-pin(2+tab) dpak лента на катушке
NJVMJD31CT4G-VF01, транзистор общего применения биполярный npn 100в 5a 1560мвт 3-pin(2+tab) dpak лента на катушке
Цена: по запросу
NJVMJD32CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а
NJVMJD32CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а
Цена: по запросу
NJVMJD32CT4G-VF01, транзистор биполярный pnp 100в 3a dpak
NJVMJD32CT4G-VF01, транзистор биполярный pnp 100в 3a dpak
Цена: по запросу
NJVMJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а
NJVMJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а
Цена: по запросу
NJVMJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
NJVMJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
NJVMJD44H11T4G-VF01, транзистор общего применения биполярный npn 80в 8a 1750мвт 3-pin(2+tab) dpak лента на катушке
NJVMJD44H11T4G-VF01, транзистор общего применения биполярный npn 80в 8a 1750мвт 3-pin(2+tab) dpak лента на катушке
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара