Дискретные полупроводники :: Транзисторы

LBC857BLT1G, транзистор одиночный биполярный

0.89 ₽

LBC857CLT1G, транзистор одиночный биполярный

0.93 ₽

LBSS123LT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 0.17a 225мвт sot-23

1.54 ₽

LBSS84LT1G, транзистор полевой mosfet p-канальный 50в 130ма 225мвт sot-23

1.35 ₽

LM395T/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в, 2.2 а

Цена: по запросу

Описание LM395T/NOPB Биполярные транзисторы - BJT ULTRA RELIABLE PWR TRANSISTOR Вид монтажа Through Hole Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT Максимальная рабочая температура + 125 C Минимальная рабочая температура 0 C Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO),...

LMBT2907ALT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

LMBT3904LT1G, транзистор одиночный биполярный

0.69 ₽

LMBT5401LT1G, транзистор одиночный биполярный

0.84 ₽

LMBT5551LT1G, транзистор одиночный биполярный

1.27 ₽

LMUN2111LT1G, транзистор одиночный цифровой

1.00 ₽

LP395Z/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в

Цена: по запросу

LS3954A, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный

Цена: по запросу

LU1014D, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 24 в, 50 а

Цена: по запросу

MBT35200MT1G, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 2 а

Цена: по запросу

MCH6662-TL-W, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

MCQ4828A-TP, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

MD1802FX, биполярный транзистор npn 700в 10a isowatt218fx

В наличии

91.60 ₽

MD200HFR120C2S, sic модуль, полумост, 1200в, 299а

Цена: по запросу

MD2103DFP, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 6 а, 38 вт

В наличии

27.62 ₽

MD2310FX, биполярный транзистор, npn, 700 в, 14 а

Цена: по запросу

MDD1752, транзистор полевой n-канальный 40в 50а 8.0 mohm

В наличии

61.90 ₽

MDD1903RH, транзистор полевой n-канальный 100в 12.8а 36вт

В наличии

96.28 ₽

MDD3752RH, транзистор полевой p-канальный 40в 43а 50вт

В наличии

55.58 ₽

MDD7N25RH, транзистор полевой n-канальный 250в 6.2а 56вт

В наличии

29.58 ₽

MDHT3N40, транзистор полевой n-канальный 400в 1.5а 2вт

В наличии

13.43 ₽

MG100HF065TLC1, модуль igbt силовой

2 486.18 ₽

MG100HF12LEC1, модуль igbt силовой

2 500.02 ₽

MG100HF12TFC1, модуль igbt силовой

2 987.31 ₽

MG150HF12TLC1, модуль силовой igbt

В наличии

4 398.14 ₽

MG200HF12TLC2, модуль igbt силовой

6 117.77 ₽

MG300HF12TFC2, модуль igbt силовой

7 093.65 ₽

MG300HF12TLC2, модуль igbt 1200в 300а

В наличии

6 393.15 ₽

MG300HF12TLE3, модуль igbt силовой

7 977.00 ₽

MG450HF12TFC2, модуль igbt силовой

10 755.12 ₽

MG450HF12TLC2, модуль igbt силовой

10 320.23 ₽

MG450HF12TLE3, модуль igbt силовой

9 348.04 ₽

MG75HF12TLC1, модуль igbt силовой

2 484.86 ₽

MGC50D12A1-251H3, полумостовой модуль igbt 50а 1200в

В наличии

3 781.24 ₽

MGC75D12A1-251H3, полумомтовой модуль igbt 150а 1200в

В наличии

2 864.59 ₽

MGF0918A-03, полевой транзистор, радиочастотный

461.79 ₽

MGF0920A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF0921A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2415A-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный

2 964.03 ₽

MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный

7 675.24 ₽

MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MIDA-HB17AB-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17AB-450N-P, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SA-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SG-450N, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

Цена: по запросу

MIDA-HB17SG-600N, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой

Цена: по запросу

MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w

Цена: по запросу

Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание MJ15003G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...