Транзисторы

Описание IRGS4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...
Цена: по запросу
Описание IRGS4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...
Описание IRGSL4062DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 48 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики,...
Описание IRL1404PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 160 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.004 ом...
Описание IRL2203NPBF MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm...
Описание IRL3103PBF MOSFET, N, 30V, 56A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.012ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse...
Описание IRL3705NSTRLPBF MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 89A; Drai Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 89 А,...
Описание IRL540NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Цена: по запросу
Описание IRLIZ44NPBF Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRLL014NTRPBF Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 140 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Описание IRLL024NTRPBF The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely...
Описание IRLL024ZTRPBF Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание IRLML0040TRPBF Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей,...
Показать еще 64 товара