Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRG4PSC71UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S -...

IRG4PSH71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSH71KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 78 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.44 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики,...

IRG4PSH71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 99 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4RC10SDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG4RC10UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8.5 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG7PH30K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 180 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 90 а, 385 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 320 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD1-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD1PBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 313 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 385 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH42UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH46UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 108 а, 390 вт

Цена: по запросу

IRG7PH46UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 390 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH46UDPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH46UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 130 а, 469 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH46UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH50K10D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG7PSH54K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 120 а, 520 вт

Цена: по запросу

IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...

IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB4045DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...

IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт

Цена: по запросу

IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт

Цена: по запросу

IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

В наличии

€0.45

Описание IRGB4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 7 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...

IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт

Цена: по запросу

IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт

Цена: по запросу

IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт

Цена: по запросу

IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad

Цена: по запросу

IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт

Цена: по запросу

IRGP4066PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт

Цена: по запросу

IRGP4068DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 96 а

В наличии

€3.86

Описание IRGP4068DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...

IRGP4069D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4069PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4263DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 90 а, 325 вт

В наличии

€5.27

IRGP4266DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 140 а, 455 вт

Цена: по запросу

IRGP4620DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 32 а, 140 вт

Цена: по запросу

IRGP4630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 206 вт

Цена: по запросу

IRGP4640PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 65 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP4640PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 65 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики, S 17...

IRGP4650D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4650D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4650DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

В наличии

€7.50

Описание IRGP4650DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 76 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 268 Крутизна характеристики, S 25...

IRGP4660D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 330 вт

В наличии

€14.85

IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт

В наличии

€22.81

Описание IRGP50B60PD1PBF Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12...

IRGP50B60PDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGP6630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 192 вт

Цена: по запросу

IRGP6640DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 53 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRGP6660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 95 а, 330 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP6660DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 95 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.65 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...

IRGPS40B120UDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 595 вт

Цена: по запросу

IRGPS40B120UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 80 а, 595 вт

Цена: по запросу

Описание IRGPS40B120UPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.71 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики,...

IRGPS60B120KDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 105 а

Цена: по запросу

Описание IRGPS60B120KDP Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Управляющее напряжение,В 5 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики, S...

IRGR2B60KDTRRPBF, igbt 600v 6.3a 35w dpak

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2TRRP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...

IRGR4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 11 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGR4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4610DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 16 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...

IRGS14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.2 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...

IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт

В наличии

€4.74

IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

IRGS30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу