Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRFZ44NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 49а 110вт, 0.022 ом

В наличии

35.79 ₽

IRFZ44NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 49а 94вт

В наличии

81.22 ₽

IRFZ44NSTRRPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 49 а

Цена: по запросу

IRFZ44VPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 55а 115вт, 0.0165 ом

В наличии

49.45 ₽

IRFZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 80вт

В наличии

87.51 ₽

Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...

IRFZ44ZSTRRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51a

В наличии

127.31 ₽

IRFZ46NPBF, транзистор полевой n-канальный 50в 50а 150вт, 0.024 ом

В наличии

42.75 ₽

IRFZ48NPBF, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 190вт, 0.018 ом

В наличии

46.05 ₽

IRFZ48NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 64а 130вт, 0.014 ом

В наличии

95.04 ₽

Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...

IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20KDSTRLP, транзистор биполярный igbt 600в 16a 60вт d2pak

В наличии

53.59 ₽

IRG4BC20SPBF, транзистор биполярный igbt 600в 19a 60вт to220ab

В наличии

44.03 ₽

IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...

IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...

IRG4BC30KD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30KDSTRLP, igbt 600v 28a 100w d2pak

Цена: по запросу

IRG4BC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30W-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30W-STRLP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BH20K-LPBF, igbt 1200v 11a 60w to262

Цена: по запросу

IRG4BH20K-SPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BH20K-STRLP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC10UDPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4IBC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 17 а, 45 вт

Цена: по запросу

IRG4IBC30WPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4P254S, биполярный транзистор igbt, 250 в, 98 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 34 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC30UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

В наличии

914.77 ₽

Описание IRG4PC30UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC30UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4PC40FDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 27 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40FDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC40FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 49 а, 160 вт

В наличии

705.36 ₽

IRG4PC40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 42 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 42 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC40UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC40UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.72 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PC50KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 52 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PC50SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 34...

IRG4PC50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50UDPBF Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4PC50WPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 55 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PC50WPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 41...

IRG4PC60FPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PC60UPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PF50WDPBF, биполярный транзистор igbt, 900 в, 51 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH20KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH30KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 6.5...

IRG4PH40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH40KPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PH40UD-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UD2-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.5 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50S-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 57 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.55 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 35...

IRG4PSC71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S...