Транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFR9120NTRLPBF Вес, г 0.4
Описание IRFR9214TRPBF MOSFET, P, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -250V Current, Id Cont 2.7A Resistance, Rds On 3ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style TO-252 Current,...
Описание IRFR9310PBF The IRFR9310PBF is a -400V P-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU...
Описание IRFRC20PBF The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series)...
Описание IRFS4115TRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Описание IRFS4229TRLPBF MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 48 мОм Вес, г 2.5
Описание IRFS7440TRLPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0025...
Описание IRFS7730TRL7PP Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 240 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм Вес, г 3
Описание IRFTS8342TRPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
Описание IRFTS9342TRPBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 66...
Описание IRFU024NPBF Корпус IPAK, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRFU120NPBF The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. • 175°C Operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rated...
Описание IRFU9120PBF The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation...
Описание IRFU9310PBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом...
Цена: по запросу
Описание IRFZ14PBF The IRFZ14PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low...
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара