Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
64
IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262
IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262
В наличии
€0.55
IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт
IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт
В наличии
€0.63
IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт
IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт
В наличии
€0.40
IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт
IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт
В наличии
€0.27
IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт
IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт
В наличии
€0.20
IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а
IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а
Цена: по запросу
IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF5852TRPBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09...
IRF6215PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 13a
IRF6215PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 13a
В наличии
€6.27
IRF6216TRPBF, транзистор полевой p-канальный 150в 2.2a
IRF6216TRPBF, транзистор полевой p-канальный 150в 2.2a
В наличии
€0.50
Описание IRF6216TRPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRF6218PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 27а 250вт
IRF6218PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 27а 250вт
В наличии
€1.89
IRF630, транзистор полевой n-канальный 200в 9а 74вт, 0.4 ом
IRF630, транзистор полевой n-канальный 200в 9а 74вт, 0.4 ом
В наличии
€0.81
Описание IRF630 N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси...
IRF630NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт, 0.3 ом
IRF630NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт, 0.3 ом
В наличии
€0.30
IRF630NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт
IRF630NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт
В наличии
€1.31
Описание IRF630NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
IRF640NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт, 0.15 ом
IRF640NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт, 0.15 ом
В наличии
€0.37
Описание IRF640NPBF IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс...
IRF640NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт
IRF640NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт
В наличии
€0.68
Описание IRF640NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm Корпус TO263, Конфигурация и...
IRF6645TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 5.7a
IRF6645TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 5.7a
€1.69
IRF6727MTRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 32a 7-pin direct-fet mx лента на катушке
IRF6727MTRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 32a 7-pin direct-fet mx лента на катушке
В наличии
€1.27
IRF7101PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 3.5 а, 2 вт
IRF7101PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 3.5 а, 2 вт
Цена: по запросу
IRF7103PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт, 0.13 ом
IRF7103PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт, 0.13 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7103PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130...
IRF7103TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт
IRF7103TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт
Цена: по запросу
IRF7104PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в,2.3 а, 2 вт, 0.25 ом
IRF7104PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в,2.3 а, 2 вт, 0.25 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7104PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 250...
IRF7105PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 25 в, 3.5 а/2.3 а,2 вт
IRF7105PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 25 в, 3.5 а/2.3 а,2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7105PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25/-25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5/-2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7201TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 7.3а 2.5вт
IRF7201TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 7.3а 2.5вт
В наличии
€0.55
IRF7204, транзистор полевой modfet p-канальный 20в 5.3a
IRF7204, транзистор полевой modfet p-канальный 20в 5.3a
В наличии
€0.14
IRF7204TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.3a
IRF7204TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.3a
В наличии
€0.47
Описание IRF7204TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
IRF7205TRPBF, транзистор полевой p-канальный 30в 4.6а 2.5вт
IRF7205TRPBF, транзистор полевой p-канальный 30в 4.6а 2.5вт
В наличии
€0.32
Описание IRF7205TRPBF Вес, г 0.15
IRF7207TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.4a
IRF7207TRPBF, транзистор полевой p-канальный 20в 5.4a
В наличии
€0.37
IRF7210TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 16a
IRF7210TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 16a
В наличии
€0.72
Описание IRF7210TRPBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±16 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007...
IRF7240TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 10.5a
IRF7240TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 10.5a
В наличии
€1.75
IRF7240TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 10.5a
IRF7240TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 10.5a
€0.26
IRF7301PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 5.2 а,2 вт,0.05 ом
IRF7301PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 5.2 а,2 вт,0.05 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7301PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...
IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а
IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а
Цена: по запросу
IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а
IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а
Цена: по запросу
Описание IRF7301TRPBF The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely...
IRF7303PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.05 ом
IRF7303PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.05 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7303PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...
IRF7304PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в, 4.3 а, 2 вт, 0.09 ом
IRF7304PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в, 4.3 а, 2 вт, 0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7304PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 90...
IRF7304TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 4.3 а
IRF7304TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 4.3 а
Цена: по запросу
IRF7306PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 3.6 а, 2 вт, 0.1 ом
IRF7306PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 3.6 а, 2 вт, 0.1 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7306PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100...
IRF7307PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 5.2 а/-4.3 а, 2 вт, 0.05 ом/0.09 ом
IRF7307PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 5.2 а/-4.3 а, 2 вт, 0.05 ом/0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7307PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20/-20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.7/-4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7309PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а, 1.4w
IRF7309PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а, 1.4w
Цена: по запросу
Описание IRF7309PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.9/-3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7309TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а
IRF7309TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 4 а,/-3 а
Цена: по запросу
IRF730PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 5.5а 74вт, 1 ом
IRF730PBF, транзистор полевой n-канальный 400в 5.5а 74вт, 1 ом
Цена: по запросу
Описание IRF730PBF • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 150°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5...
IRF7311PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 6.6 а, 2 вт, 0.029 ом
IRF7311PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 6.6 а, 2 вт, 0.029 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7311PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
IRF7313PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2w
IRF7313PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2w
Цена: по запросу
Описание IRF7313PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
IRF7313TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 6.5 а, 2 вт, 0.029 ом
Цена: по запросу
IRF7314PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 5.3 а, 2 вт
IRF7314PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 5.3 а, 2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7314PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...
IRF7316PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.058 ом
IRF7316PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2 вт, 0.058 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7316PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 58...
IRF7316TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а
IRF7316TR, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а
Цена: по запросу
IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт
IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт
В наличии
€0.44
Описание IRF7316TRPBF P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...
IRF7317PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.6 а/5.3 а, 2вт
IRF7317PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.6 а/5.3 а, 2вт
Цена: по запросу
Описание IRF7317PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±6.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29/58...
IRF7319PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 2 вт
IRF7319PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, 2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7319PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5/-4.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7319TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в
IRF7319TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в
Цена: по запросу
IRF7324PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 9 а, 2 вт
IRF7324PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 9 а, 2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7324PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -9.0 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18...
IRF7328PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 8 а, 2.0 вт
IRF7328PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 8 а, 2.0 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7328PBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 21...
IRF7329PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 12 в, 9.2 а, 2w
IRF7329PBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 12 в, 9.2 а, 2w
В наличии
€0.59
IRF7329TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 9.2a 8-pin soic лента на катушке
IRF7329TRPBF, транзистор полевой p-канальный 12в 9.2a 8-pin soic лента на катушке
В наличии
€0.41
Описание IRF7329TRPBF MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм Максимальная рабочая...
IRF7331PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 7 а
IRF7331PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 7 а
Цена: по запросу
IRF7341PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт, 0.05 ом
IRF7341PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт, 0.05 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7341PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...
IRF7341QTRPBF, сборка полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.42 а, 2.4 вт, 0.05 ом
IRF7341QTRPBF, сборка полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.42 а, 2.4 вт, 0.05 ом
Цена: по запросу
IRF7341TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 55 в, 4.7 а, 2 вт
Цена: по запросу
IRF7342PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 55 в, 3.4 а, 2 вт, 0.105 ом
IRF7342PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 55 в, 3.4 а, 2 вт, 0.105 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7342PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105...
IRF7343PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в, 4.7 а/3.4 а, 2 вт, 0.05 ом/0.105 ом
IRF7343PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в, 4.7 а/3.4 а, 2 вт, 0.05 ом/0.105 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7343PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55/-55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7/-3.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7343TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в
IRF7343TR, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 55 в
Цена: по запросу
IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт
IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7351PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.8...
IRF7351TR, сборка из полевых транзисторов, mosfet 2n-канальный, 60 в, 8 а
IRF7351TR, сборка из полевых транзисторов, mosfet 2n-канальный, 60 в, 8 а
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара