Транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание 2N6488G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 90 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 90 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание 2N6491G PNP Power Transistors, ON Semiconductor Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Описание 2N6517BU Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 360 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 360...
Цена: по запросу
Описание 2N6520TA High Voltage PNP Transistors, Fairchild Semiconductor Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350 Максимально допустимый ток...
В наличии
4.53 
Цена: по запросу
Описание 2N7000TA Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Показать еще 20 товаров