Дискретные полупроводники :: Транзисторы

IRF1404LPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162a 3-pin(3+tab) to-262 туба

Цена: по запросу

IRF1404PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162а 200вт, 0.004 ом

В наличии

€0.65

IRF1404SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162a

Цена: по запросу

IRF1404STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 162a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

Цена: по запросу

IRF1404STRRPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 162a d2pak

Цена: по запросу

IRF1404ZSPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

Цена: по запросу

IRF1404ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

Цена: по запросу

Описание IRF1404ZSTRLPBF Вес, г 2.5

IRF1405, транзистор полевой mosfet n-канальный si 55в 169a 3-pin(3+tab) to-220ab туба

Цена: по запросу

IRF1405SPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 131а 200вт

Цена: по запросу

IRF1405STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 131a

Цена: по запросу

IRF1405ZSTRLPBF, полевой транзистор n-канальный 55в 150a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

Цена: по запросу

IRF1407STRLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 75в 100a d2pak

Цена: по запросу

IRF1503PBF, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 75 а

Цена: по запросу

Описание IRF1503PBF Структура n-канал Корпус to220ab Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 240 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...

IRF1503SPBF, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF1503STRLPBF, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF150P220, транзистор полевой mosfet n-канальный 150в 316a

В наличии

€10.31

IRF150P221XKMA1, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF1607PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 142а 380вт

Цена: по запросу

IRF200B211, транзистор полевой 80вт

В наличии

€0.29

IRF200P222, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 182a 3-pin(3+tab) to-247 туба

Цена: по запросу

IRF200P223, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 100a 3-pin(3+tab) to-247ac туба

Цена: по запросу

IRF200S234, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF2204SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 170a

Цена: по запросу

IRF250P224, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 128a 3-pin(3+tab) to-247ac туба

Цена: по запросу

IRF250P225, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 69a 3-pin(3+tab) to-247ac туба

Цена: по запросу

IRF2804LPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 75a to-220-3

Цена: по запросу

IRF2804PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 160а 330вт, 1.6 мом

В наличии

€1.37

IRF2804SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75а 330вт

Цена: по запросу

IRF2805SPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 135 а

Цена: по запросу

IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]

Цена: по запросу

Описание IRF2805STRLPBF МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 135 A Тип корпуса D2PAK (TO-263) Максимальное рассеяние мощности 200 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 9.65мм...

IRF2807PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 82а 200вт

В наличии

€0.52

IRF2903ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 75а 290вт

В наличии

€2.01

IRF2907ZPBF, транзистор полевой n-канальный 75в 75а 330вт

В наличии

€2.69

IRF3205SPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 110а 200вт, 0.008 ом

Цена: по запросу

IRF3315STRLPBF, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF3415SPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 43a

Цена: по запросу

IRF360, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

IRF3703PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 210а 230вт

Цена: по запросу

IRF3708PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 62a

В наличии

€0.48

IRF3709ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 87а 79вт

В наличии

€0.50

Описание IRF3709ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 87 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0063 ом...

IRF3709ZSTRRPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 87a d2pak

Цена: по запросу

IRF3710PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57а 200вт, 0.025 ом

В наличии

€0.49

IRF3710STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

€1.05

Описание IRF3710STRLPBF MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD Корпус TO263,...

IRF3710ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59а 160вт

В наличии

€1.63

IRF3710ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59a aвтомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

€1.69

IRF3805PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

В наличии

€0.98

IRF3805STRL-7PP, транзистор полевой mosfet n-канальный 55в 160a d2pak-7

В наличии

€3.46

IRF3808PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 140а 340вт

В наличии

€1.13

Описание IRF3808PBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом

В наличии

€2.01

Описание IRF3808STRLPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...

IRF4104SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

В наличии

€1.26

Описание IRF4104SPBF The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...

IRF4104STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a

В наличии

€1.18

IRF4905PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 74а 200вт

В наличии

€0.99

IRF4905STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 42а 170вт

В наличии

€0.97

Описание IRF4905STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF520NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7а 48вт, 0.20 ом

В наличии

€0.46

IRF520NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке

В наличии

€0.97

Описание IRF520NSTRLPBF D2PAK/100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200...

IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом

В наличии

€0.88

IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a

В наличии

€0.94

Описание IRF5210STRLPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...

IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом

В наличии

€0.43

IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт

В наличии

€0.77

Описание IRF5305STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...

IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220

Цена: по запросу

Описание IRF530A IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора. • Увеличенная зона безопасной работы • Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В) •...