Дискретные полупроводники :: Транзисторы

GD400HFY120C2S, модуль силовой igbt полумостовой 1200в, 400а, +175°c

В наличии

8 915.70 ₽

GD40PIY120C5S, модуль igbt силовой

3 307.59 ₽

GD450HFX170C6S, igbt модуль 1700b 450а 2 in one-package

В наличии

16 054.19 ₽

GD450HFY120C2S, модуль igbt 1200в 450a, 175°c 2173вт

В наличии

11 553.61 ₽

GD450HFY120C6S, igbt модуль 1200b 450а 2 in one-package

13 119.52 ₽

GD50PIY120C6S, модуль igbt 1200в 50a

В наличии

8 051.68 ₽

GD600HFX170C6S, igbt модуль 1700b 600а 2 in one-package

В наличии

23 397.77 ₽

GD600HFY120C2S, igbt модуль 1200b 600а

В наличии

14 829.66 ₽

GD600HFY120C6S, igbt модуль 1200b 600а 2 in one-package

В наличии

16 845.33 ₽

GD600SGX170C2S, модуль igbt силовой

14 532.68 ₽

GD600SGY120C2S, модуль igbt силовой

11 448.79 ₽

GD650HFX170P1S, модуль igbt силовой

25 978.53 ₽

GD75PIY120C6S, igbt модуль 1200b 75а

В наличии

6 971.93 ₽

GD800HFX170A3S, модуль igbt силовой

62 898.43 ₽

GD900HFX120P1SA, модуль igbt силовой

29 509.34 ₽

GS66504B-E01-MR, транзистор mosfet одиночный

Цена: по запросу

GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт

В наличии

111.72 ₽

Описание GT50JR22 IGBT Discretes, Toshiba Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность,...

HD1750FX, биполярный транзистор, npn, 1700 в, 24 а, 75 вт

735.90 ₽

Описание HD1750FX General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800 Максимально допустимый ток к...

HF300H170, модуль силовой igbt 1700в/300a

В наличии

10 310.86 ₽

HFGM100A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/100a

В наличии

2 847.15 ₽

HFGM150D12AV1, модуль силовой igbt 1200в/150a

В наличии

4 384.42 ₽

HFGM195A 600V, модуль силовой igbt 600в

В наличии

3 062.33 ₽

HFGM200A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/200a

В наличии

4 777.72 ₽

HFGM300A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/300a

В наличии

6 485.47 ₽

HFGM450A 1200V, модуль силовой igbt 1200в/450a

В наличии

7 550.08 ₽

HGTG11N120CND, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 43 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTG12N60C3D, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HGTG20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт, 200 кгц

Цена: по запросу

Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...

HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт

Цена: по запросу

HGTP12N60A4D, биполярный транзистор igbt, 600 в, 54 а, 167 вт

Цена: по запросу

HGTP14N36GVL, биполярный транзистор igbt, 390 в, 14 а, 100 вт

Цена: по запросу

HGTP20N60A4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 70 а, 290 вт

Цена: по запросу

HGTP3N60A4, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

HKTD120N04, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 120a, 2.6мом

В наличии

31.57 ₽

HKTD15N10, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 15a, 0.1ом

В наличии

11.26 ₽

HKTD20N06, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 20a, 37мом

В наличии

9.89 ₽

HKTD4N50, транзистор полевой mosfet n-канальный 500в 5a, 1.7мом

В наличии

18.05 ₽

HKTD4N65, транзистор полевой mosfet n-канальный 660в 4a, 2.6ом

В наличии

19.42 ₽

HKTG150N03, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 150a, 3мом

В наличии

20.42 ₽

HKTG48N10, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 79a, 8мом

В наличии

42.03 ₽

HKTQ30N03, транзистор полевой n-канальный 30в 30a, 5.3 мом

Цена: по запросу

HKTQ30P03, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 60a, 10мом

В наличии

7.63 ₽

HKTQ80N03, транзистор полевой mosfet p-канальный 30в 80a, 5.2мом

Цена: по запросу

HUF75321D3ST, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 20 а

Цена: по запросу

HUF75321P3, транзистор полевой n-канальный 55в 35a

Цена: по запросу

HUF75329D3ST, транзистор полевой n-канальный 55в 20a

Цена: по запросу

HUF75332P3, транзистор полевой n-канальный 55в 60a

Цена: по запросу

HUF75339P3, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

Цена: по запросу

HUF75344G3, транзистор полевой n-канальный 55в 75a

Цена: по запросу

Описание HUF75344G3 HUF75344G3 является N-канальным UltraFET силовым МОП-транзистором. Эта передовая технология обработки обеспечивает минимальное сопротивление в активном режиме на уровне кремния для выдающейся производительности. Это устройство способно выдерживать высокую энергию в...