Дискретные полупроводники :: Транзисторы

FQT2P25TF, полевой транзистор, p-канальный, 250 в, 0.55 а

Цена: по запросу

FQT3P20TF, транзистор полевой p-канальный 200в 0.67a

Цена: по запросу

FQT4N20LTF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.85а 1.35 ом

Цена: по запросу

Описание FQT4N20LTF The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching...

FQT4N25TF, транзистор полевой n-канальный 250в 0.83a

Цена: по запросу

FQT5P10TF, транзистор полевой p-канальный 100в 1a

Цена: по запросу

FQT7N10LTF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.7a

Цена: по запросу

FQT7N10TF, транзистор полевой n-канальный 100в 1.7a

Цена: по запросу

FQU10N20CTU, полевой транзистор, n-канальный, 200 в, 7.8 а

Цена: по запросу

FQU11P06TU, транзистор полевой p-канальный 60в 9.4a

Цена: по запросу

Описание FQU11P06TU The FQU11P06 is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior...

FQU13N06LTU, транзистор полевой n-канальный 60в 11a

Цена: по запросу

FQU13N10LTU, транзистор полевой n-канальный 100в 10a

Цена: по запросу

FQU17P06TU, транзистор полевой mosfet p-канальный 60в 12a ipak

Цена: по запросу

FQU1N60CTU, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 1 а

Цена: по запросу

FQU1N80TU, транзистор полевой mosfet n-канальный 800в 1a ipak

Цена: по запросу

FQU20N06LTU, транзистор полевой n-канальный 60в 17.2a

Цена: по запросу

FQU2N100TU, транзистор полевой n-канальный 1000в 1.6a

Цена: по запросу

FQU2N60CTU, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 1.9 а

Цена: по запросу

FQU3N50CTU, транзистор полевой n-канальный 500в 2.5a

Цена: по запросу

FQU5N40TU, полевой транзистор, n-канальный, 400 в, 3.4 а

Цена: по запросу

FQU5N60CTU, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 2.8 а

Цена: по запросу

FS45MR12W1M1B11BOMA1, модуль mosfet силовой

Цена: по запросу

FS75R12KE3BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в 105 а 350 вт

В наличии

24 644.85 ₽

Описание FS75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...