Москва
 
+7(495)740-30-77

Транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
64
FDS9400A, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 3.4 а
FDS9400A, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 3.4 а
Цена: по запросу
FDS9431A, транзистор полевой p-канальный 20в 3.5а 2.5вт
FDS9431A, транзистор полевой p-канальный 20в 3.5а 2.5вт
Цена: по запросу
FDS9435A, транзистор полевой p-канальный 30в 5.3а 2.5вт
FDS9435A, транзистор полевой p-канальный 30в 5.3а 2.5вт
Цена: по запросу
Описание FDS9435A Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...
FDS9926A, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 6.5 а, 2вт, 0.03 ом
FDS9926A, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 6.5 а, 2вт, 0.03 ом
Цена: по запросу
Описание FDS9926A Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 43...
FDS9933A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 3.8 а, 2 вт
FDS9933A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 3.8 а, 2 вт
Цена: по запросу
FDS9934C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.5 а/5 а
FDS9934C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.5 а/5 а
Цена: по запросу
FDS9945, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 60 в, 3.5 а, 2 вт, 0.1 ом
FDS9945, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 60 в, 3.5 а, 2 вт, 0.1 ом
Цена: по запросу
Описание FDS9945 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 103...
FDS9953A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 2.9 а
FDS9953A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 2.9 а
Цена: по запросу
FDS9958, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.9 а, 2 вт
FDS9958, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.9 а, 2 вт
Цена: по запросу
FDT3612, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.7 а
FDT3612, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.7 а
Цена: по запросу
FDT3N40TF, транзистор полевой n-канальный 400в 2а 2вт
FDT3N40TF, транзистор полевой n-канальный 400в 2а 2вт
Цена: по запросу
FDT434P, транзистор полевой p-канальный 20в 6a
FDT434P, транзистор полевой p-канальный 20в 6a
Цена: по запросу
FDT439N, транзистор полевой n-канальный 30в 6.3а 3вт
FDT439N, транзистор полевой n-канальный 30в 6.3а 3вт
Цена: по запросу
FDT458P, транзистор полевой p-канальный 30в 3.4а 0.13 ом, 3вт
FDT458P, транзистор полевой p-канальный 30в 3.4а 0.13 ом, 3вт
Цена: по запросу
FDT459N, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 6.5 а
FDT459N, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 6.5 а
Цена: по запросу
FDT86102LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 6.6a
FDT86102LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 6.6a
Цена: по запросу
FDT86106LZ, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.2 а
FDT86106LZ, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.2 а
Цена: по запросу
FDT86113LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 3.3a
FDT86113LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 3.3a
Цена: по запросу
FDT86244, полевой транзистор, n-канальный, 150 в, 2.8 а
FDT86244, полевой транзистор, n-канальный, 150 в, 2.8 а
Цена: по запросу
FDT86246, транзистор полевой n-канальный 150в 2a
FDT86246, транзистор полевой n-канальный 150в 2a
Цена: по запросу
FDU3N40TU, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 2a ipak
FDU3N40TU, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 2a ipak
Цена: по запросу
FDV301N, транзистор полевой n-канальный 25в 220ма, 0.35вт
FDV301N, транзистор полевой n-канальный 25в 220ма, 0.35вт
Цена: по запросу
Описание FDV301N FDV301N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство оснащено высокой плотностью элементов, технологией DMOS, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии и поддержки...
FDV302P, транзистор полевой p-канальный 25в 120ма, 0.35вт
FDV302P, транзистор полевой p-канальный 25в 120ма, 0.35вт
Цена: по запросу
FDV303N, транзистор полевой n-канальный 25в 680ма, 0.35вт
FDV303N, транзистор полевой n-канальный 25в 680ма, 0.35вт
Цена: по запросу
Описание FDV303N FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора....
FDV304P, транзистор полевой p-канальный 25в 460ма, 0.35вт
FDV304P, транзистор полевой p-канальный 25в 460ма, 0.35вт
Цена: по запросу
Описание FDV304P The FDV303P from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions....
FDV305N, транзистор полевой n-канальный 20в 0,95а 0.04 ом, 0.35вт
FDV305N, транзистор полевой n-канальный 20в 0,95а 0.04 ом, 0.35вт
Цена: по запросу
FDWS86369-F085, транзистор полевой mosfet n-канальный 80в 65a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
FDWS86369-F085, транзистор полевой mosfet n-канальный 80в 65a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
Цена: по запросу
FDWS9508L-F085, транзистор полевой mosfet p-канальный 40в 80a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
Цена: по запросу
FDWS9509L-F085, транзистор полевой mosfet p-канальный 40в 65a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
Цена: по запросу
FDY1002PZ, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 0.83 а
FDY1002PZ, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 0.83 а
Цена: по запросу
FDY100PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 350 ма
FDY100PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 350 ма
Цена: по запросу
FDY101PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 150 ма
FDY101PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 150 ма
Цена: по запросу
FDY102PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 830ма
FDY102PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 830ма
Цена: по запросу
FDY2000PZ, полевой транзистор p-канальный 20в 0.35a 6-pin sot-563f лента на катушке
FDY2000PZ, полевой транзистор p-канальный 20в 0.35a 6-pin sot-563f лента на катушке
Цена: по запросу
FDY3000NZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 0.6 а
FDY3000NZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 0.6 а
Цена: по запросу
FDY300NZ, полевой транзистор, n-канальный, 20 в, 600 ма
FDY300NZ, полевой транзистор, n-канальный, 20 в, 600 ма
Цена: по запросу
FDY301NZ, транзистор полевой n-канальный 20в 0.2а 5 ом
FDY301NZ, транзистор полевой n-канальный 20в 0.2а 5 ом
Цена: по запросу
FDY302NZ, транзистор полевой n-канальный 20в
FDY302NZ, транзистор полевой n-канальный 20в
Цена: по запросу
FDY4000CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в
FDY4000CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в
Цена: по запросу
FDZ661PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2.6 а
FDZ661PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2.6 а
Цена: по запросу
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
В наличии
£42.38
Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...
FF11MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 100a
Цена: по запросу
FF11MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet, полумостовой n-канальный 1200в 100а
FF11MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet, полумостовой n-канальный 1200в 100а
Цена: по запросу
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а
В наличии
£109.71
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт
В наличии
£51.35
Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160
FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт
FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт
В наличии
£127.36
FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт
FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт
В наличии
£71.82
FF23MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet n-канальный 1.2kв 50a
FF23MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet n-канальный 1.2kв 50a
В наличии
£118.78
FF2MR12KM1PHOSA1, модуль силовой sic mosfet сдвоенный n-канальный 1200в лоток
FF2MR12KM1PHOSA1, модуль силовой sic mosfet сдвоенный n-канальный 1200в лоток
В наличии
£871.70
FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт
FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт
В наличии
£141.47
Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а
FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а
В наличии
£99.15
FF300R17KE4HOSA1, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором
FF300R17KE4HOSA1, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором
Цена: по запросу
FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а
FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а
В наличии
£144.72
FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а
FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а
В наличии
£131.08
FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток
FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток
В наличии
£102.70
FF45MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 50a
FF45MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 50a
Цена: по запросу
FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а
FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а
В наличии
£207.44
FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт
FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт
Цена: по запросу
FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт
FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт
Цена: по запросу
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт
Цена: по запросу
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт
Цена: по запросу
Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт
Цена: по запросу
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара